Сделано в России: НИИЭТ о реализации проекта на основе нитрида галлия

Технология производства приборов на основе нитрида галлия сегодня занимает лидирующие позиции в эволюции электронных компонентов. Особенно значимым ее потенциал раскрывается в сферах силовой электроники и устройств сверхвысоких частот.

Универсальность применения этой разработки поражает своим размахом. Она успешно внедряется как в повседневные приборы — например, зарядные устройства для гаджетов, так и в высокотехнологичные системы. Среди последних — электротранспорт нового поколения, ультрасовременные средства связи и сложные радиолокационные комплексы.

Мировая электронная индустрия активно осваивает этот технологический прорыв, демонстрируя впечатляющие темпы роста. Особую значимость технология приобрела в контексте развития отечественной электроники: она официально признана приоритетным направлением научно-технического прогресса в рамках Стратегии развития электронной промышленности России до 2030 года.

«Мы стали одними из первых в России, кто обратил внимание на потенциал нитрид-галлиевой технологии. Сегодня наш институт предлагает более 25 типономиналов мощных СВЧ-приборов, и это только начало большого пути», — говорит генеральный директор АО «НИИЭТ» Павел Куцько.

Создание собственной производственной базы по технологии GaN-on-Si — это не просто проект, это стратегическое решение для всей отрасли. НИИЭТ уже имеет значительные наработки в области мощных СВЧ- и силовых переключающих транзисторов, и запуск нового производства позволит предприятию выйти на иной уровень.

«К середине 2028 года планируется запуск производства полного цикла силовых полупроводниковых приборов на основе широкозонных полупроводников GaN (нитрид галлия). Производственный комплекс будет включать чистые помещения общей площадью более 1000 м² с классом чистоты от ISO8 до ISO5. Для обеспечения технологического процесса предусмотрено приобретение 21 единицы специализированного оборудования. Мощности позволят осуществлять полный цикл изготовления транзисторных пластин диаметром 200 мм, что обеспечит полное удовлетворение потребностей отечественного рынка в данной продукции», — подчеркивает Павел Куцько.

К настоящему времени создан существенный задел в области разработки и производства как электронных компонентов на основе нитрида галлия (GaN), так и устройств с их использованием. Более того, ряд GaN-приборов НИИЭТ уже поставляет потребителям серийно.